HBM3は、消費電力の低減と小型化を特徴とする高性能メモリです。2.5Dパッケージングとより広いインターフェイスを低クロックで（GDDR6と比較して）組み合わせることで、AI/MLやハイパフォーマンス・コンピューティング（HPC）アプリケーション向けに、高いバンド幅/ワット効率で全体的なスループットを向上させます。
ラムバス社のHBM3メモリサブシステムは、データピンごとに最大8.4Gbpsのデータレートをサポートします。インターフェイスには16の独立したチャンネルがあり、各チャンネルには64ビットが含まれ、合計のデータ幅は1024ビットとなります。最大データレートでは、1075.2GB/sの帯域幅を実現しています。
このインターフェースは、2.5Dシステム用に設計されており、3D DRAMスタックとSoC上のメモリサブシステムとの間の信号配線にインターポーザーが使用されています。このような信号密度とスタック型のフォームファクターの組み合わせには、特別な設計上の配慮が必要です。容易な実装と設計の柔軟性向上を可能にするため、ラムバス社では2.5Dシステム全体のシグナルおよびパワーインテグリティ解析を行い、信号、電力、熱のすべての要件を満たしていることを確認しています。
ラムバス社のHBM3メモリサブシステムは、2、4、8、12、16のDRAMスタックハイトを持つHBM3メモリデバイスをサポートし、最大32Gbの密度を実現します。このサブシステムは、Look-Aheadコマンド処理により、バンド幅とレイテンシを最大化します。
ラムバス社のHBM3メモリサブシステムは、統合されたHBM3 PHYとコントローラで構成されています。
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